Titel: Analysis of the bias-dependent split emission zone in phosphorescent OLEDs
Autor/-in: Regnat, Markus
Pernstich, Kurt P.
Züfle, Simon
Ruhstaller, Beat
Erschienen in: ACS applied materials & interfaces
Band(Heft): 10
Heft: 37
Seiten: 31552
Seiten bis: 31559
Verlag / Hrsg. Institution: American Chemical Society
Erscheinungsdatum: 27-Aug-2018
Lizenz (gemäss Verlagsvertrag): Lizenz gemäss Verlagsvertrag
Art der Begutachtung: Peer review (Publikation)
Sprache: Englisch
Schlagwörter: OLED; Angle-dependent electroluminescence spectra; Emission zone; Exciton profile; Transient electroluminescence decay
Fachgebiet (DDC): 621.3: Elektrotechnik und Elektronik
Zusammenfassung: From s-polarized, angle-dependent measurements of the electroluminescence spectra in a three-layer phosphorescent organic light-emitting diode, we calculate the exciton distribution inside the 35 nm thick emission layer. The shape of the exciton profile changes with the applied bias due to differing field dependencies of the electron and hole mobilities. A split emission zone with high exciton densities at both sides of the emission layer is obtained, which is explained by the presence of energy barriers and similar electron and hole mobilities. A peak in the transient electroluminescence signal after turn-off and the application of a reverse bias is identified as a signature of a split emission zone.
Departement: School of Engineering
Organisationseinheit: Institute of Computational Physics (ICP)
Publikationstyp: Beitrag in wissenschaftlicher Zeitschrift
DOI: 10.1021/acsami.8b09595
ISSN: 1944-8244
1944-8252
URI: https://digitalcollection.zhaw.ch/handle/11475/13174
Enthalten in den Sammlungen:Publikationen School of Engineering

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